| 资源(31) | 时长( 00:00:00) | 播放量(11404) |
|---|---|---|
1.1集成电路发展历程及工艺特点-优化 |
/ | 347 |
|
2.1 单晶硅特性-优化 |
/ | 939 |
|
2.2 硅衬底的制备--优化 |
/ | 924 |
|
2.3 气相外延--优化 |
/ | 930 |
|
2.4 分子束外延与其他外延方法--优化 |
/ | 929 |
|
实验一 初识软件讲稿-优化 |
/ | 290 |
|
3.1 热氧化概念及二氧化硅薄膜概述-优化 |
/ | 285 |
|
3.2 硅的热氧化-优化 |
/ | 280 |
|
3.3 氧化层质量及检测-优化 |
/ | 280 |
|
3.4 扩散机构及杂质的扩散-优化 |
/ | 338 |
|
3.5 热扩散工艺的条件和方法-优化 |
/ | 281 |
|
3.6 扩散工艺质量与检测-优化 |
/ | 240 |
|
3.7 离子注入概述及原理-优化 |
/ | 233 |
|
3.8 注入离子在靶中的分布-优化 |
/ | 241 |
|
3.9 退火-优化 |
/ | 281 |
|
实验二 离子注入讲稿-优化 |
/ | 291 |
|
实验三 氧化仿真实验-优化 |
/ | 292 |
|
4.1 CVD概述及原理——优化 |
/ | 284 |
|
4.2 CVD工艺方法——优化 |
/ | 290 |
|
4.3 PVD概述与真空——优化 |
/ | 283 |
|
4.4 真空蒸镀——优化 |
/ | 240 |
|
4.5 溅射-优化 |
/ | 267 |
|
5.1 光刻工艺概述-优化 |
/ | 288 |
|
5.2 光刻掩模版的制造-优化 |
/ | 329 |
|
5.3 光刻胶-优化 |
/ | 281 |
|
5.4 曝光技术-优化 |
/ | 288 |
|
5.5 湿法刻蚀-优化 |
/ | 288 |
|
5.6 干法刻蚀-优化 |
/ | 289 |
|
6.1 金属化互连-优化 |
/ | 296 |
|
6.2 隔离工艺-优化 |
/ | 289 |
|
6.3 CMOS集成电路工艺-优化 |
/ | 291 |