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|---|---|---|
1.1集成电路发展历程及工艺特点 |
00:13:37 | 372 |
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2.1 单晶硅特性 |
00:20:01 | 1165 |
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2.2 硅衬底的制备 |
00:11:40 | 998 |
|
2.3 气相外延 |
00:12:42 | 1204 |
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2.4 分子束外延与其他外延方法 |
00:11:27 | 902 |
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实验一 初识软件 |
00:20:12 | 278 |
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3.1 二氧化硅薄膜概述 |
00:10:16 | 254 |
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3.2 硅的热氧化 |
00:19:26 | 276 |
|
3.3 氧化层质量及检测 |
00:07:35 | 273 |
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3.4 扩散机构及杂质的扩散 |
00:15:38 | 363 |
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3.5 热扩散工艺的条件和方法 |
00:09:38 | 272 |
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3.6 扩散工艺质量与检测 |
00:08:34 | 250 |
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3.7 离子注入概述及原理 |
00:07:23 | 357 |
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3.8 注入离子在靶中的分布 |
00:09:00 | 250 |
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3.9 退火 |
00:09:48 | 271 |
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实验二 离子注入 |
00:17:59 | 282 |
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实验三 氧化仿真实验 |
00:12:02 | 274 |
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4.1 CVD概述及原理 |
00:12:25 | 272 |
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4.2 CVD工艺方法 |
00:16:23 | 287 |
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4.3 PVD概述与真空 |
00:07:11 | 272 |
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4.4 真空蒸镀 |
00:11:08 | 253 |
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4.5 溅射 |
00:16:10 | 279 |
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5.1 光刻工艺概述 |
00:18:33 | 275 |
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5.2 光刻掩模版的制造 |
00:10:26 | 340 |
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5.3 光刻胶 |
00:13:40 | 275 |
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5.4 曝光技术 |
00:18:17 | 280 |
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5.5 湿法刻蚀 |
00:11:37 | 280 |
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5.6 干法刻蚀 |
00:15:25 | 279 |
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6.1 金属化互连 |
00:12:57 | 273 |
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6.2 隔离工艺 |
00:08:23 | 277 |
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6.3 CMOS集成电路工艺 |
00:09:04 | 276 |